Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/342090
Заглавие документа: Plasmonic-Enhanced Light Absorption in Periodic Silicon Structures: The Effect of Inter-Island Distance
Авторы: Mukhammad, A.I.
Chizh, K.V.
Plotnichenko, V.G.
Yuryev, V.A.
Gaiduk, P.I.
Цифровой идентификатор автора ORCID: 0000-0002-1304-1309
Тема: ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Дата публикации: 2020
Издатель: Springer Nature
Библиографическое описание источника: Semiconductors.2020; Vol. 54(14): P. 1889-1892
Аннотация: Absorption spectra of Si/SiO<sub>2</sub>/Si structure with highly doped silicon layers are simulated with Finite Difference Time Domain (FDTD) as a function of periodicity of surface islands. The effect of multiple resonance is studied for different inter-island distances. A wide band (>12 µm) of high light absorption (>70%) is registered for a structure with a period of 8 μm and an inter-island distance of 3 μm. It is revealed for the spectral range of 10–20 μm that the reduction of the inter-islands distance shifts the absorption peak position to the region of longer waves and results in the growth of the absorption level.
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/342090
DOI документа: 10.1134/S1063782620140201.
Финансовая поддержка: The research was supported by the Belarusian Republican Foundation for Fundamental Research (project no. Т18Р-190, no. G/R 20181511), and the State Scientific Research Program “Photonics, Opto- and Microelectronics” (G/R 20190644).
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники. Статьи

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
S1063782620140201.pdf445,6 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.