Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Факультет радиофизики и компьютерных технологий
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФАКУЛЬТЕТА РАДИОФИЗИКИ И КОМПЬЮТЕРНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
  4. Статьи сотрудников факультета радиофизики и компьютерных технологий
  5. Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники. Статьи
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/342090
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorMukhammad, A.I.-
dc.contributor.authorChizh, K.V.-
dc.contributor.authorPlotnichenko, V.G.-
dc.contributor.authorYuryev, V.A.-
dc.contributor.authorGaiduk, P.I.-
dc.date.accessioned2026-02-19T13:45:35Z-
dc.date.available2026-02-19T13:45:35Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.citationSemiconductors.2020; Vol. 54(14): P. 1889-1892ru
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/342090-
dc.description.abstractAbsorption spectra of Si/SiO<sub>2</sub>/Si structure with highly doped silicon layers are simulated with Finite Difference Time Domain (FDTD) as a function of periodicity of surface islands. The effect of multiple resonance is studied for different inter-island distances. A wide band (>12 µm) of high light absorption (>70%) is registered for a structure with a period of 8 μm and an inter-island distance of 3 μm. It is revealed for the spectral range of 10–20 μm that the reduction of the inter-islands distance shifts the absorption peak position to the region of longer waves and results in the growth of the absorption level.ru
dc.description.sponsorshipThe research was supported by the Belarusian Republican Foundation for Fundamental Research (project no. Т18Р-190, no. G/R 20181511), and the State Scientific Research Program “Photonics, Opto- and Microelectronics” (G/R 20190644).ru
dc.language.isoenru
dc.publisherSpringer Natureru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titlePlasmonic-Enhanced Light Absorption in Periodic Silicon Structures: The Effect of Inter-Island Distanceru
dc.typearticleru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.identifier.DOI10.1134/S1063782620140201.-
dc.identifier.orcid0000-0002-1304-1309ru
Располагается в коллекциях:Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники. Статьи

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
S1063782620140201.pdf445,6 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.