Новый механизм возникновения анизотропии поглощения гамма-квантов высоких энергий в кристаллах

Барышевский, В.Г.; Тихомиров, В.В.; Шехтман, А.Г.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/341228

Title:	Новый механизм возникновения анизотропии поглощения гамма-квантов высоких энергий в кристаллах
Authors:	Барышевский, В.Г. Тихомиров, В.В. Шехтман, А.Г.
Open Researcher and Contributor ID:	0000-0002-0283-5795
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	1989
Publisher:	ФГБУН "Российская академия наук", ФГБУН "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН".
Citation:	Письма в Журнал технической физики.1989;Т. 15(4): С. 77-80
Abstract:	Хорошо известно, что при движении заряженных частиц под малыми углами к кристаллическим осям (плоскостям) их взаимодействие с кристаллом описывается атомным потенциалом, усредненным вдоль осей (плоскостей). В [ l ] было показано, что взаимодействие у -квантов с кристаллом в аналогичных условиях описывается диэлектрической проницаемостью также однородной в направлении осей (плоскостей) и периодической в перпендикулярных к ним направлениях. Мнимая часть этой проницаемости описывает теоретически предсказанный в [2, 3] и обнаруженный экспериментально [4 J процесс магн и то тормозного образования пар (МОП).
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/341228
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	Статьи НИУ «Институт ядерных проблем»

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Барышевский27.pdf		314,84 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar