Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/341228
Заглавие документа: Новый механизм возникновения анизотропии поглощения гамма-квантов высоких энергий в кристаллах
Авторы: Барышевский, В.Г.
Тихомиров, В.В.
Шехтман, А.Г.
Цифровой идентификатор автора ORCID: 0000-0002-0283-5795
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 1989
Издатель: ФГБУН "Российская академия наук", ФГБУН "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН".
Библиографическое описание источника: Письма в Журнал технической физики.1989;Т. 15(4): С. 77-80
Аннотация: Хорошо известно, что при движении заряженных частиц под малыми углами к кристаллическим осям (плоскостям) их взаимодействие с кристаллом описывается атомным потенциалом, усредненным вдоль осей (плоскостей). В [ l ] было показано, что взаимодействие у -квантов с кристаллом в аналогичных условиях описывается диэлектрической проницаемостью также однородной в направлении осей (плоскостей) и периодической в перпендикулярных к ним направлениях. Мнимая часть этой проницаемости описывает теоретически предсказанный в [2, 3] и обнаруженный экспериментально [4 J процесс магн и то тормозного образования пар (МОП).
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/341228
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:Статьи НИУ «Институт ядерных проблем»

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Барышевский27.pdf314,84 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.