Новый механизм возникновения анизотропии поглощения гамма-квантов высоких энергий в кристаллах

Abstract

Хорошо известно, что при движении заряженных частиц под малыми углами к кристаллическим осям (плоскостям) их взаимодействие с кристаллом описывается атомным потенциалом, усредненным вдоль осей (плоскостей). В [ l ] было показано, что взаимодействие у -квантов с кристаллом в аналогичных условиях описывается диэлектрической проницаемостью также однородной в направлении осей (плоскостей) и периодической в перпендикулярных к ним направлениях. Мнимая часть этой проницаемости описывает теоретически предсказанный в [2, 3] и обнаруженный экспериментально [4 J процесс магн и то тормозного образования пар (МОП).