Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340289| Заглавие документа: | Microstructure of binary “metal-silicon” systems treated by low-energy high-current electron beams |
| Авторы: | Koval, N.N. Uglov, V.V. Ivanov, Yu.F. Petukhou, Yu.A. Kudaktsin, R.S. Teresov, A.D. Kalin, A.V. 0000-0003-1929-4996 |
| Open Researcher and Contributor ID: | 0000-0003-1929-4996 |
| Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2012 |
| Издатель: | Kovcheg |
| Библиографическое описание источника: | Plasma physics and plasma technology, Minsk, Belarus, 17–21 сентября 2012 года. Vol. Volume I. – Minsk, Belarus: Kovcheg, 2012. – P. 380-383 |
| Аннотация: | In this communication we discuss peculiarities of microstructural changes in “metal layer (Ti, Zr, Cr)-silicon substrate” systems treated by LEHCEB with energy density 8-15 J/cm2 and pulse duration 50-200 μs. As it was shown in recent papers /2/, energy density of LEHCEB is sufficient for melting of the surface layer; therefore, mechanisms of structural transformation are mainly caused by solidification of the surface melt. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340289 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Коваль.pdf | 1,08 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.