Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340289Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Koval, N.N. | - |
| dc.contributor.author | Uglov, V.V. | - |
| dc.contributor.author | Ivanov, Yu.F. | - |
| dc.contributor.author | Petukhou, Yu.A. | - |
| dc.contributor.author | Kudaktsin, R.S. | - |
| dc.contributor.author | Teresov, A.D. | - |
| dc.contributor.author | Kalin, A.V. | - |
| dc.date.accessioned | 2026-01-22T13:21:00Z | - |
| dc.date.available | 2026-01-22T13:21:00Z | - |
| dc.date.issued | 2012 | - |
| dc.identifier.citation | Plasma physics and plasma technology, Minsk, Belarus, 17–21 сентября 2012 года. Vol. Volume I. – Minsk, Belarus: Kovcheg, 2012. – P. 380-383 | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340289 | - |
| dc.description.abstract | In this communication we discuss peculiarities of microstructural changes in “metal layer (Ti, Zr, Cr)-silicon substrate” systems treated by LEHCEB with energy density 8-15 J/cm2 and pulse duration 50-200 μs. As it was shown in recent papers /2/, energy density of LEHCEB is sufficient for melting of the surface layer; therefore, mechanisms of structural transformation are mainly caused by solidification of the surface melt. | ru |
| dc.language.iso | en | ru |
| dc.publisher | Kovcheg | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
| dc.title | Microstructure of binary “metal-silicon” systems treated by low-energy high-current electron beams | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.identifier.orcid | 0000-0003-1929-4996 | - |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Коваль.pdf | 1,08 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.