Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/338434
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЛатий, О. О.-
dc.contributor.authorБуслюк, В. В.-
dc.contributor.authorДереченник, С. С.-
dc.contributor.authorЕмельянов, В. А.-
dc.contributor.authorКочергина, О. В.-
dc.contributor.authorОджаев, В. Б.-
dc.contributor.authorПросолович, В. С.-
dc.contributor.authorЯнковский, Ю. С.-
dc.contributor.authorЧерный, В. В.-
dc.date.accessioned2025-12-05T12:51:58Z-
dc.date.available2025-12-05T12:51:58Z-
dc.date.issued2025-
dc.identifier.citationПриборостроение – 2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13-15 ноября 2025 года, Минск. - С. 345-347ru
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/338434-
dc.description.abstract. Исследованы электрофизические характеристики диодов-генераторов шума и проведено моделирование структуры, состоящей из диода-генератора шума, включенного в обратном направлении, и компенсирующего диода, включенного в прямом направлении. Установлено, что зависимость напряжения микроплазменного пробоя для данных шумовых диодов от температуры в диапазоне 24‒125 °C имеет характер близкий к линейному. Это позволяет произвести температурную компенсацию напряжения пробоя шумового диода, последовательно соединив его с прямо включенным диодом Шоттки. Показано, что степень термокомпенсации, характеризующаяся величиной углового коэффициента линейной аппроксимации зависимости напряжеия пробоя от температуры, зависит от электрофизических параметров диода-генератора шума и компенсирующего диода.ru
dc.description.sponsorshipРабота выполнена в рамках задания 3.11.3 ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций», подпрограмма «Микро- и наноэлектроника».ru
dc.language.isoruru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleШумовые диоды с температурной компенсацией напряжения электрического пробояru
dc.typeconference paperru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Прибор-2025 345-347.pdf441,04 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.