Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/337718| Заглавие документа: | Монохроматическая эллипсометрия оксидных слоев на кремниевых пластинах, сформированных быстрым термическим отжигом |
| Другое заглавие: | Monochromatic ellipsometry of oxide layers on silicon wafers formed by rapid thermal annealing / D. V. Ponkratov, V. A. Pilipenko, N. I. Staskov, A. N. Pyatlitsky, S. A. Melnikov, A. B. Sotsky, L. I. Sotskaya, A. V. Shilov, D. V. Shestovsky |
| Авторы: | Понкратов, Д. В. Пилипенко, В. А. Стаськов, Н. И. Петлицкий, А. Н. Мельников, С. А. Сотский, А. Б. Сотская, Л. И. Шилов, А. В. Шестовский, Д. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 301-305. |
| Аннотация: | В результате термического отжига на поверхности полупроводниковой пластины образуется неоднородный слой, состоящий из ультратонкого контактного слоя, оксидного слоя и поверхностного слоя. Предложена функция, которая характеризует распределение диэлектрической проницаемости по толщине слоя и обеспечивающая устойчивое решение обратной эллипсометрической задачи при оптимальных углах падения света на неоднородный слой |
| Аннотация (на другом языке): | As a result of thermal annealing, a heterogeneous layer is formed on the surface of the semiconductor wafer, consisting of an ultrathin contact layer, an oxide layer, and a surface layer. A function has been proposed that characterizes the distribution of dielectric permittivity across the thickness of the layer, ensuring a stable solution to the inverse ellipsometric problem at optimal angles of incidence of light on the heterogeneous layer |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/337718 |
| ISBN: | 978-985-881-861-6 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в рамках Государственной программы научных исследований Республики Беларусь «1.15 Фотоника и электроника для инноваций». |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 301-305.pdf | 1,68 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.