Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Факультет радиофизики и компьютерных технологий
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФАКУЛЬТЕТА РАДИОФИЗИКИ И КОМПЬЮТЕРНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
  4. Сборники научных статей и материалы конференций факультета радиофизики и компьютерных технологий
  5. Квантовая электроника
  6. 2025. Квантовая электроника
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/337718
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПонкратов, Д. В.
dc.contributor.authorПилипенко, В. А.
dc.contributor.authorСтаськов, Н. И.
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.
dc.contributor.authorМельников, С. А.
dc.contributor.authorСотский, А. Б.
dc.contributor.authorСотская, Л. И.
dc.contributor.authorШилов, А. В.
dc.contributor.authorШестовский, Д. В.
dc.date.accessioned2025-11-26T12:42:58Z-
dc.date.available2025-11-26T12:42:58Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationКвантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 301-305.
dc.identifier.isbn978-985-881-861-6
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/337718-
dc.description.abstractВ результате термического отжига на поверхности полупроводниковой пластины образуется неоднородный слой, состоящий из ультратонкого контактного слоя, оксидного слоя и поверхностного слоя. Предложена функция, которая характеризует распределение диэлектрической проницаемости по толщине слоя и обеспечивающая устойчивое решение обратной эллипсометрической задачи при оптимальных углах падения света на неоднородный слой
dc.description.sponsorshipРабота выполнена в рамках Государственной программы научных исследований Республики Беларусь «1.15 Фотоника и электроника для инноваций».
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
dc.titleМонохроматическая эллипсометрия оксидных слоев на кремниевых пластинах, сформированных быстрым термическим отжигом
dc.title.alternativeMonochromatic ellipsometry of oxide layers on silicon wafers formed by rapid thermal annealing / D. V. Ponkratov, V. A. Pilipenko, N. I. Staskov, A. N. Pyatlitsky, S. A. Melnikov, A. B. Sotsky, L. I. Sotskaya, A. V. Shilov, D. V. Shestovsky
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeAs a result of thermal annealing, a heterogeneous layer is formed on the surface of the semiconductor wafer, consisting of an ultrathin contact layer, an oxide layer, and a surface layer. A function has been proposed that characterizes the distribution of dielectric permittivity across the thickness of the layer, ensuring a stable solution to the inverse ellipsometric problem at optimal angles of incidence of light on the heterogeneous layer
Располагается в коллекциях:2025. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
301-305.pdf1,68 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.