Монохроматическая эллипсометрия оксидных слоев на кремниевых пластинах, сформированных быстрым термическим отжигом

Понкратов, Д. В.; Пилипенко, В. А.; Стаськов, Н. И.; Петлицкий, А. Н.; Мельников, С. А.; Сотский, А. Б.; Сотская, Л. И.; Шилов, А. В.; Шестовский, Д. В.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/337718

Title:	Монохроматическая эллипсометрия оксидных слоев на кремниевых пластинах, сформированных быстрым термическим отжигом
Other Titles:	Monochromatic ellipsometry of oxide layers on silicon wafers formed by rapid thermal annealing / D. V. Ponkratov, V. A. Pilipenko, N. I. Staskov, A. N. Pyatlitsky, S. A. Melnikov, A. B. Sotsky, L. I. Sotskaya, A. V. Shilov, D. V. Shestovsky
Authors:	Понкратов, Д. В. Пилипенко, В. А. Стаськов, Н. И. Петлицкий, А. Н. Мельников, С. А. Сотский, А. Б. Сотская, Л. И. Шилов, А. В. Шестовский, Д. В.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date:	2025
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 301-305.
Abstract:	В результате термического отжига на поверхности полупроводниковой пластины образуется неоднородный слой, состоящий из ультратонкого контактного слоя, оксидного слоя и поверхностного слоя. Предложена функция, которая характеризует распределение диэлектрической проницаемости по толщине слоя и обеспечивающая устойчивое решение обратной эллипсометрической задачи при оптимальных углах падения света на неоднородный слой
Abstract (in another language):	As a result of thermal annealing, a heterogeneous layer is formed on the surface of the semiconductor wafer, consisting of an ultrathin contact layer, an oxide layer, and a surface layer. A function has been proposed that characterizes the distribution of dielectric permittivity across the thickness of the layer, ensuring a stable solution to the inverse ellipsometric problem at optimal angles of incidence of light on the heterogeneous layer
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/337718
ISBN:	978-985-881-861-6
Sponsorship:	Работа выполнена в рамках Государственной программы научных исследований Республики Беларусь «1.15 Фотоника и электроника для инноваций».
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2025. Квантовая электроника

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
301-305.pdf		1,68 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar