Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329690
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Вабищевич, С. А. | - |
dc.contributor.author | Вабищевич, Н. В. | - |
dc.contributor.author | Абрамов, С. А. | - |
dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | - |
dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
dc.contributor.author | Колос, В. В. | - |
dc.contributor.author | Зубова, О. А. | - |
dc.date.accessioned | 2025-05-28T13:38:30Z | - |
dc.date.available | 2025-05-28T13:38:30Z | - |
dc.date.issued | 2025 | - |
dc.identifier.citation | Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики (АПФЭЭ-2024) [Сайт] : эл. сб. мат лов II Междунар. науч.-практ. конф., Новополоцк, 14 нояб. 2024 г. / Полоц. гос. ун-т им. Евфросинии Полоцкой; редкол.: В. А. Богуш (пред.) [и др.]. – Новополоцк, 2025. – С. 72-77 | ru |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329690 | - |
dc.description.abstract | Методами индентирования и ИК-Фурье-спектроскопии диффузного отражения исследованы пленки негативного фоторезиста (ФР) AZ nLOF 5510 толщиной 0,99 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. В спектрах диффузного отражения структур ФР/кремний полосы поглощения фоторезиста наблюдаются на фоне интерференционных полос, что позволяет использовать методику для измерения толщины пленки или ее показателя преломления. Наиболее интенсивными в спектрах ФР серии AZ nLOF являются полосы валентных колебаний ароматического кольца, пульсационных колебаний углеродного скелета ароматического кольца, широкая структурированная полоса с несколькими максимумами в диапазоне 1050–1270 см–1 и полоса, связанная с СН2-мостиком. Показано, что дополнительная сушка и ионное травление в потоке Ar+ приводит к увеличению микротвердости пленки AZ nLOF 5510, обусловленному сшиванием молекул фоторезиста. Исходные фоторезистивные пленки при индентировании ведут себя как упругопластичные материалы, а после дополнительной обработки с использованием ионного травления, как твердые непластичные материалы | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
dc.title | Оптические и прочностные свойства пленок негативного фоторезиста AZ nLOF 5510 на монокристаллическом кремнии | ru |
dc.type | article | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
pgu_esbornik_2025_72-77.pdf | 1,25 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.