Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329689
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | - |
dc.contributor.author | Гринюк, Е. В. | - |
dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
dc.contributor.author | Зубова, О. А. | - |
dc.contributor.author | Колос, В. В. | - |
dc.contributor.author | Бринкевич, С. Д. | - |
dc.contributor.author | Вабищев, С. А. | - |
dc.date.accessioned | 2025-05-28T13:29:51Z | - |
dc.date.available | 2025-05-28T13:29:51Z | - |
dc.date.issued | 2025 | - |
dc.identifier.citation | Микроэлектроника, 2025, том 54, № 1, с. 55–63 | ru |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329689 | - |
dc.description.abstract | Методами микроиндентирования и ИК-Фурье-спектроскопии с использованием приставки для диффузного отражения исследованы пленки негативных фоторезистов (ФР) AZ nLOF 2020, AZ nLOF 2070 и AZ nLOF 5510 толщиной 0.99–6.0 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Установлено, что пленки ФР ведут себя как упругопластичные материалы, в которых присутствуют растягивающие упругие напряжения. Наиболее интенсивными в спектрах поглощения ФР серии AZ nLOF являются линии валентных колебаний ароматического кольца, пульсационных колебаний углеродного скелета ароматического кольца, широкая структурированная полоса с несколькими максимумами в диапазоне 1050–1270 см–1 и полоса, связанная с СН2-мостиком. Показано, что линия, соответствующая колебаниям CH3 групп с максимумом при 2945 см–1, обусловлена растворителем. Различия в спектрах ФР AZ nLOF 2020 и AZ nLOF 2070 связаны с присутствием в пленках остаточного растворителя и взаимодействием его молекул с ароматическими кольцами основного компонента ФР. | ru |
dc.description.sponsorship | Работа выполнена в рамках задания 2.16 государственной программы научных исследований “Материаловедение, новые материалы и технологии”, подпрограммы “Наноструктурные материалы, нанотехнологии, нанотехника” (“Наноструктура”) | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Пленки фоторезистов серии AZ nLOF на монокристаллическом кремнии | ru |
dc.type | article | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
dc.identifier.DOI | 10.31857/S0544126925010068 | - |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
microelectr.pdf | 3,94 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.