Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329619| Title: | Определение контактного поля нано-гетеро-перехода <Si:PbХ> |
| Other Titles: | Determination of the contact field of the <Si:PbX> nano-hetera junction / E. Z. Imamov, R. A. Muminov, Kh. N. Karimov, A. E. Imamov, M. A. Askarov |
| Authors: | Имамов, Э. З. Муминов, Р. А. Каримов, Х. Н. Имамов, А. Э. Аскаров, М. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 448-453. |
| Abstract: | В настоящей работе концепция многопереходности легла в основу построения модели принципиально новой контактной структуры: «нанообъект–полупроводник». Это не традиционный сплошной р–n-переход со сплошным контактом двух типов полупроводниковых материалов. Это контакт между нанесенным нанообъектом и однородной полупроводниковой подложкой. При соприкосновении нанообъекта с подложкой между ними устанавливается термодинамическое равновесие, сопровождающееся выравниванием уровней Ферми и возникновением контактного поля особой геометрии, поскольку возникает между точечным объектом (10–40 нм) и свободной подложкой. По аналогии с теорией полупроводникового тонкого р–n-перехода [1–11] рассчитано контактное поле нано-гетеро-перехода <Si:PbХ> |
| Abstract (in another language): | In this paper, the concept of multijunction formed the basis for constructing a model of a fundamentally new contact structure: "nanoobject-semiconductor". This is not a traditional continuous p–n-junction with continuous contact between two types of semiconductor materials. This is a contact between the deposited nanoobject and a homogeneous semiconductor substrate. When the nanoobject comes into contact with the substrate, thermodynamic equilibrium is established between them, accompanied by equalization of the Fermi levels and the emergence of a contact field of special geometry, since it arises between a point object (10–40 nm) and a free substrate. By analogy with the theory of a semiconductor thin p–n-junction [1–11], the contact field of the nano-hetero-junction <Si:PbX> was calculated |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329619 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 448-453.pdf | 381,64 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.