Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2024. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329619
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorИмамов, Э. З.
dc.contributor.authorМуминов, Р. А.
dc.contributor.authorКаримов, Х. Н.
dc.contributor.authorИмамов, А. Э.
dc.contributor.authorАскаров, М. А.
dc.date.accessioned2025-05-22T14:49:21Z-
dc.date.available2025-05-22T14:49:21Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 448-453.
dc.identifier.isbn978-985-881-739-8
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/329619-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractВ настоящей работе концепция многопереходности легла в основу построения модели принципиально новой контактной структуры: «нанообъект–полупроводник». Это не традиционный сплошной р–n-переход со сплошным контактом двух типов полупроводниковых материалов. Это контакт между нанесенным нанообъектом и однородной полупроводниковой подложкой. При соприкосновении нанообъекта с подложкой между ними устанавливается термодинамическое равновесие, сопровождающееся выравниванием уровней Ферми и возникновением контактного поля особой геометрии, поскольку возникает между точечным объектом (10–40 нм) и свободной подложкой. По аналогии с теорией полупроводникового тонкого р–n-перехода [1–11] рассчитано контактное поле нано-гетеро-перехода <Si:PbХ>
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleОпределение контактного поля нано-гетеро-перехода <Si:PbХ>
dc.title.alternativeDetermination of the contact field of the <Si:PbX> nano-hetera junction / E. Z. Imamov, R. A. Muminov, Kh. N. Karimov, A. E. Imamov, M. A. Askarov
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeIn this paper, the concept of multijunction formed the basis for constructing a model of a fundamentally new contact structure: "nanoobject-semiconductor". This is not a traditional continuous p–n-junction with continuous contact between two types of semiconductor materials. This is a contact between the deposited nanoobject and a homogeneous semiconductor substrate. When the nanoobject comes into contact with the substrate, thermodynamic equilibrium is established between them, accompanied by equalization of the Fermi levels and the emergence of a contact field of special geometry, since it arises between a point object (10–40 nm) and a free substrate. By analogy with the theory of a semiconductor thin p–n-junction [1–11], the contact field of the nano-hetero-junction <Si:PbX> was calculated
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
448-453.pdf381,64 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.