Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329606
Title: Фотоэлектрические характеристики детекторов ультрафиолетового излучения на основе легированного никелем оксида цинка
Other Titles: Photoelectric characteristics of ultraviolet radiation detectors based on nickel-doped zinc oxide / I. A. Grekov, E. B. Chubenko, V. P. Bondarenko
Authors: Греков, И. А.
Чубенко, Е. Б.
Бондаренко, В. П.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2025
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 396-399.
Abstract: Комбинированием методов atomic layer deposition и гидротермального осаждения на кремниевых подложках были получены тонкопленочные покрытия из ZnO с примесью Ni. Исследования структуры и состава пленок методами энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии и рентгеновской дифрактометрии показали, что они состоят из частиц ZnO, легированных примесным атомами никеля, с гексагональной кристаллической решеткой. На основе полученных пленок изготовлены фотоприемники резистивного типа. Показано, что при облучении светом УФ-диапазона с длиной волны 400 нм, время отклика пленок составило 0,1–0,2 мс
Abstract (in another language): Thin-film coatings of ZnO with Ni impurity were obtained by combining the methods of atomic layer deposition and hydrothermal deposition on silicon substrates. Studies of the structure and composition of films using energy-dispersive X-ray spectroscopy and X-ray diffractometry showed that they consist of ZnO particles doped with impurity nickel atoms with a hexagonal crystal lattice. Resistive-type photodetectors were manufactured based on the obtained films. It was shown that when irradiated with UV light with a wavelength of 400 nm, the response time of the films was 0.1–0.2 ms
Description: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329606
ISBN: 978-985-881-739-8
Sponsorship: Данная работа выполнена в рамках задания 3.8 ГПНИ Республики Беларусь «Фотоника и электроника для инноваций».
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:2024. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
396-399.pdf358,55 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.