Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329606| Заглавие документа: | Фотоэлектрические характеристики детекторов ультрафиолетового излучения на основе легированного никелем оксида цинка |
| Другое заглавие: | Photoelectric characteristics of ultraviolet radiation detectors based on nickel-doped zinc oxide / I. A. Grekov, E. B. Chubenko, V. P. Bondarenko |
| Авторы: | Греков, И. А. Чубенко, Е. Б. Бондаренко, В. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 396-399. |
| Аннотация: | Комбинированием методов atomic layer deposition и гидротермального осаждения на кремниевых подложках были получены тонкопленочные покрытия из ZnO с примесью Ni. Исследования структуры и состава пленок методами энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии и рентгеновской дифрактометрии показали, что они состоят из частиц ZnO, легированных примесным атомами никеля, с гексагональной кристаллической решеткой. На основе полученных пленок изготовлены фотоприемники резистивного типа. Показано, что при облучении светом УФ-диапазона с длиной волны 400 нм, время отклика пленок составило 0,1–0,2 мс |
| Аннотация (на другом языке): | Thin-film coatings of ZnO with Ni impurity were obtained by combining the methods of atomic layer deposition and hydrothermal deposition on silicon substrates. Studies of the structure and composition of films using energy-dispersive X-ray spectroscopy and X-ray diffractometry showed that they consist of ZnO particles doped with impurity nickel atoms with a hexagonal crystal lattice. Resistive-type photodetectors were manufactured based on the obtained films. It was shown that when irradiated with UV light with a wavelength of 400 nm, the response time of the films was 0.1–0.2 ms |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329606 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Финансовая поддержка: | Данная работа выполнена в рамках задания 3.8 ГПНИ Республики Беларусь «Фотоника и электроника для инноваций». |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 396-399.pdf | 358,55 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.