Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329597
Заглавие документа: Теоретическое исследование приборных гетероструктур на основе 2D-материалов с использованием физико-математических моделей
Другое заглавие: Theoretical investigation of device heterostructures based on 2D-materials with the using of physico-mathematical models / I. I. Abramov, V. A. Labunov, N. V. Kalameitsava, V. O. Ermak
Авторы: Абрамов, И. И.
Лабунов, В. А.
Коломейцева, Н. В.
Ермак, В. О.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2025
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 354-358.
Аннотация: В докладе проведено теоретическое исследование приборных гетероструктур на основе 2D-материалов, а именно: полевых транзисторов (ПТ) на двухслойном графене (ДГ), а также многобарьерных гетероструктур на основе MoS2/WSe2 и GaN/SiC/графен с вертикальным транспортом с помощью разработанных физико-математических моделей, входящих в состав системы моделирования наноэлектронных приборов NANODEV
Аннотация (на другом языке): In the paper theoretical investigation of device heterostructures based on 2D-materials, namely field-effect transistors based on bilayer graphene and heterostructures based on MoS2/WSe2 and GaN/SiC/graphene with vertical transport has been carried out with the using of developed models included in simulation system of nanoelectronic devices NANODEV
Доп. сведения: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329597
ISBN: 978-985-881-739-8
Финансовая поддержка: Работа подготовлена по результатам исследований, проведенных в рамках Государственных программ научных исследований Республики Беларусь «Конвергенция», «Материаловедение, новые материалы и технологии», «Фотоника и электроника для инноваций».
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
354-358.pdf312,97 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.