Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329597Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Абрамов, И. И. | |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | |
| dc.contributor.author | Коломейцева, Н. В. | |
| dc.contributor.author | Ермак, В. О. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:16Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:16Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 354-358. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329597 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | В докладе проведено теоретическое исследование приборных гетероструктур на основе 2D-материалов, а именно: полевых транзисторов (ПТ) на двухслойном графене (ДГ), а также многобарьерных гетероструктур на основе MoS2/WSe2 и GaN/SiC/графен с вертикальным транспортом с помощью разработанных физико-математических моделей, входящих в состав системы моделирования наноэлектронных приборов NANODEV | |
| dc.description.sponsorship | Работа подготовлена по результатам исследований, проведенных в рамках Государственных программ научных исследований Республики Беларусь «Конвергенция», «Материаловедение, новые материалы и технологии», «Фотоника и электроника для инноваций». | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Теоретическое исследование приборных гетероструктур на основе 2D-материалов с использованием физико-математических моделей | |
| dc.title.alternative | Theoretical investigation of device heterostructures based on 2D-materials with the using of physico-mathematical models / I. I. Abramov, V. A. Labunov, N. V. Kalameitsava, V. O. Ermak | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | In the paper theoretical investigation of device heterostructures based on 2D-materials, namely field-effect transistors based on bilayer graphene and heterostructures based on MoS2/WSe2 and GaN/SiC/graphene with vertical transport has been carried out with the using of developed models included in simulation system of nanoelectronic devices NANODEV | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 354-358.pdf | 312,97 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.