Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329593| Заглавие документа: | Оптические характеристики пленок полиимида, имплантированных высокой дозой ионов железа |
| Другое заглавие: | Optical properties of polyimide films implanted with high dose of iron ions / A. V. Yuschik, Dai XinYi, M. G. Lukashevich, V. B. Odzhaev, V. F. Valeev, R. I. Khaibullin |
| Авторы: | Ющик, А. В. Даи Синьи Лукашевич, М. Г. Оджаев, В. Б. Валеев, В. Ф. Хайбуллин, Р. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 330-336. |
| Аннотация: | В диапазоне длин волн 200–3000 нм исследовано пропускание и отражение исходных и имплантированных высокой дозой (D1 = 5·10 16 и D2 = 1,25·10 17 см-2) ионов железа тонких (40 мкм) пленок полиимида. Интегральный коэффициент пропускания при имплантации уменьшается более чем в три раза, а интегральный коэффициент отражения имеет немонотонную зависимость, показывая увеличение в 2,4 и 1,5 раза при дозе D1 = 5·10 16 см-2 и падении света на имплантированную и не имплантированную стороны соответственно, и уменьшение до величины отражения исходной пленки независимо от стороны падения при дозе D2 = 1,25·10 17 см-2, обусловленное карбонизацией приповерхностного слоя пленки и формированием в нем включений железа и его оксидов |
| Аннотация (на другом языке): | In the wavelength range 200–3000 nm the transmittance and reflection of initial and implanted with high dose (D1 = 5·10 16 and D2 = 1·10 17 cm-2) of iron ions thin (40 μm) films of polyimide were investigated. The integral transmittance decreases by more than a factor of three upon implantation, and the integral reflectance has a non-monotonic dependence, showing an increase of 2.4 and 1.5 times at dose D1 = 5·10 16 cm-2 and light incident on the implanted and non-implanted sides, respectively, and decrease to the reflection value of the original film irrespective of the incident side at the dose D2 = 1.25·10 17 cm-2, caused by carbonisation of the film surface layer and formation of iron inclusions and its oxides in it |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329593 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 330-336.pdf | 427,17 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.