Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329585| Title: | Функционирование биполярных транзисторных структур на кремнии в условиях радиационного облучения |
| Other Titles: | Operating of silicon bipolar junction transistors under the irradiation / S. A. Miskiewicz, F. F. Komarov, V. N. Yuvchenko |
| Authors: | Мискевич, С. А. Комаров, Ф. Ф. Ювченко, В. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 300-303. |
| Abstract: | Разработана физико-математическая модель и представлены результаты моделирования воздействия потока электронов с энергией 2–4 МэВ и дозами до 10 15 см-2 на входные и выходные вольт-амперные характеристики (ВАХ), а также коэффициент усиления p–n–p-биполярного транзистора КТ3107А |
| Abstract (in another language): | The model of radiation impact of the electron flux (2–4 MeV, up to 10 15 cm-2) on the bipolar junction transistors (BJT) is developed and the results of computer simulation of the input and output current-voltage characteristics and current gain are shown |
| Description: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329585 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 300-303.pdf | 360,93 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.