Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329585Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Мискевич, С. А. | |
| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | |
| dc.contributor.author | Ювченко, В. Н. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:14Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:14Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 300-303. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329585 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Разработана физико-математическая модель и представлены результаты моделирования воздействия потока электронов с энергией 2–4 МэВ и дозами до 10 15 см-2 на входные и выходные вольт-амперные характеристики (ВАХ), а также коэффициент усиления p–n–p-биполярного транзистора КТ3107А | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Функционирование биполярных транзисторных структур на кремнии в условиях радиационного облучения | |
| dc.title.alternative | Operating of silicon bipolar junction transistors under the irradiation / S. A. Miskiewicz, F. F. Komarov, V. N. Yuvchenko | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The model of radiation impact of the electron flux (2–4 MeV, up to 10 15 cm-2) on the bipolar junction transistors (BJT) is developed and the results of computer simulation of the input and output current-voltage characteristics and current gain are shown | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 300-303.pdf | 360,93 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.