Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329579
Title: Распределение напряжений в облучённых ионами ксенона алмазах
Other Titles: Stress distribution in diamonds irradiated by xenon ions / N. M. Kazuchits, V. N. Kazuchits, A. V. Koleichik, O. V. Korolik, M. S. Rusetsky, V. A. Skuratov
Authors: Казючиц, Н. М.
Казючиц, В. Н.
Колейчик, А. В.
Королик, О. В.
Русецкий, М. С.
Скуратов, В. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2025
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 277-282.
Abstract: Распределения по глубине интенсивности, спектрального положения и ширины линий комбинационного рассеяния света (КРС) и фотолюминесценции (ФЛ) были измерены в НРНТ алмазах, облученных ионами Хе с энергией 167 МэВ. Эти распределения коррелировали с рассчитанным распределением первичных вакансий углерода. Распределения как сдвига основной линии КРС, так и ширины линий ФЛ отражали распределения механических напряжений в разбухшей от радиационных повреждений решетке алмаза. Определены коэффициенты преобразования ширины бесфононных линий ФЛ в величину механических напряжений в облученных ионами ксенона алмазах
Abstract (in another language): The depth distributions of intensity, spectral positions, and FWHM of Raman and PL lines were measure in HPHT diamonds irradiated with Xe ions with an energy of 167 MeV. These distributions correlated with the calculated distribution of primary carbon vacancies. Both distributions, the shift of the Raman line and the FWHM of the PL lines, reflected the distributions of mechanical stress in the diamond lattice, swollen from radiation damage. The conversion coefficients FWHM of zero-phonon PL lines into mechanical stress values in diamonds irradiated with xenon ions have been determined
Description: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329579
ISBN: 978-985-881-739-8
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:2024. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
277-282.pdf530,09 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.