Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329579| Заглавие документа: | Распределение напряжений в облучённых ионами ксенона алмазах |
| Другое заглавие: | Stress distribution in diamonds irradiated by xenon ions / N. M. Kazuchits, V. N. Kazuchits, A. V. Koleichik, O. V. Korolik, M. S. Rusetsky, V. A. Skuratov |
| Авторы: | Казючиц, Н. М. Казючиц, В. Н. Колейчик, А. В. Королик, О. В. Русецкий, М. С. Скуратов, В. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 277-282. |
| Аннотация: | Распределения по глубине интенсивности, спектрального положения и ширины линий комбинационного рассеяния света (КРС) и фотолюминесценции (ФЛ) были измерены в НРНТ алмазах, облученных ионами Хе с энергией 167 МэВ. Эти распределения коррелировали с рассчитанным распределением первичных вакансий углерода. Распределения как сдвига основной линии КРС, так и ширины линий ФЛ отражали распределения механических напряжений в разбухшей от радиационных повреждений решетке алмаза. Определены коэффициенты преобразования ширины бесфононных линий ФЛ в величину механических напряжений в облученных ионами ксенона алмазах |
| Аннотация (на другом языке): | The depth distributions of intensity, spectral positions, and FWHM of Raman and PL lines were measure in HPHT diamonds irradiated with Xe ions with an energy of 167 MeV. These distributions correlated with the calculated distribution of primary carbon vacancies. Both distributions, the shift of the Raman line and the FWHM of the PL lines, reflected the distributions of mechanical stress in the diamond lattice, swollen from radiation damage. The conversion coefficients FWHM of zero-phonon PL lines into mechanical stress values in diamonds irradiated with xenon ions have been determined |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329579 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 277-282.pdf | 530,09 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.