Ферромагнитные свойства кремния, легированного примесными атомами марганца при комнатной температуре

Зикриллаев, Н. Ф.; Мавлонов, Г. Х.; Кенжаев, З. Т.; Исмаилов, Т. Б.

Issue Date Author Title Subject

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329578

Title:	Ферромагнитные свойства кремния, легированного примесными атомами марганца при комнатной температуре
Other Titles:	Ferromagnetic properties of silicon doped with impurity manganese atoms at room temperature / N. F. Zikrillayev, G. H. Mavlonov, Z. T. Kenjayev, T. B. Ismailov
Authors:	Зикриллаев, Н. Ф. Мавлонов, Г. Х. Кенжаев, З. Т. Исмаилов, Т. Б.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2025
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 272-276.
Abstract:	Изучая магнитные свойства кремния, диффузионно-легированного примесями марганца, можно определить магнитные свойства этого материала. В зависимости от технологии получения таких образцов марганец может располагаться преимущественно в узлах или междоузлиях кристаллической решетки кремния. Наблюдения за ферромагнитными свойствами кремния показали, что они связаны, главным образом, с концентрацией дырок в кремнии и обменными взаимодействиями дырок. Анализ результатов исследований показал, что возможно получение магнитных материалов с ферромагнитными свойствами на основе кремния, легированного атомами марганца, и которые могут быть широко использованы при производстве устройств спинтроники в магнитоэлектронике
Abstract (in another language):	By studying the magnetic properties of silicon diffusion-doped with manganese impurities, it is possible to determine the magnetic properties of this material. Depending on the technology of obtaining such samples, manganese can be located predominantly in the nodes or inter-nodes of the silicon crystal lattice. Observations of ferromagnetic properties of silicon have shown that they are mainly related to the concentration of holes in silicon and exchange interactions of holes. The analysis of the results of the studies showed that it is possible to obtain magnetic materials with ferromagnetic properties on the basis of silicon doped with manganese atoms, which can be widely used in the production of spintronics devices in magnetoelectronics
Description:	Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/329578
ISBN:	978-985-881-739-8
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2024. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
272-276.pdf		444,74 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar