Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329578Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Зикриллаев, Н. Ф. | |
| dc.contributor.author | Мавлонов, Г. Х. | |
| dc.contributor.author | Кенжаев, З. Т. | |
| dc.contributor.author | Исмаилов, Т. Б. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:12Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:12Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 272-276. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329578 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Изучая магнитные свойства кремния, диффузионно-легированного примесями марганца, можно определить магнитные свойства этого материала. В зависимости от технологии получения таких образцов марганец может располагаться преимущественно в узлах или междоузлиях кристаллической решетки кремния. Наблюдения за ферромагнитными свойствами кремния показали, что они связаны, главным образом, с концентрацией дырок в кремнии и обменными взаимодействиями дырок. Анализ результатов исследований показал, что возможно получение магнитных материалов с ферромагнитными свойствами на основе кремния, легированного атомами марганца, и которые могут быть широко использованы при производстве устройств спинтроники в магнитоэлектронике | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Ферромагнитные свойства кремния, легированного примесными атомами марганца при комнатной температуре | |
| dc.title.alternative | Ferromagnetic properties of silicon doped with impurity manganese atoms at room temperature / N. F. Zikrillayev, G. H. Mavlonov, Z. T. Kenjayev, T. B. Ismailov | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | By studying the magnetic properties of silicon diffusion-doped with manganese impurities, it is possible to determine the magnetic properties of this material. Depending on the technology of obtaining such samples, manganese can be located predominantly in the nodes or inter-nodes of the silicon crystal lattice. Observations of ferromagnetic properties of silicon have shown that they are mainly related to the concentration of holes in silicon and exchange interactions of holes. The analysis of the results of the studies showed that it is possible to obtain magnetic materials with ferromagnetic properties on the basis of silicon doped with manganese atoms, which can be widely used in the production of spintronics devices in magnetoelectronics | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 272-276.pdf | 444,74 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.