Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329573| Title: | Модификация синтетических алмазов путем высокотемпературного вакуумного отжига |
| Other Titles: | Modification of synthetic diamonds by high-temperature vacuum annealing / G. A. Gusakov, G. V. Sharonov, O. V. Korolik |
| Authors: | Гусаков, Г. А. Шаронов, Г. В. Королик, О. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 246-251. |
| Abstract: | Исследовано влияние термообработки в вакууме в температурном интервале 800 –1600 °C на дефектно-примесную структуру монокристаллов синтетического алмаза, выращенных методом температурного градиента (НРНТ-метод). Установлено, что при Т > 900 °C начинается активная перестройка никельсодержащих дефектов, ответственных за полосы поглощения 658 и 680 нм. В результате отжига никельсодержащих дефектов происходит генерация вакансий, которые, в свою очередь, взаимодействуют с имеющимися в НРНТ-алмазах примесными атомами азота с образованием NV-центров. Показано, что вакуумный отжиг при высоких температурах приводит к повышению степени совершенства кристаллической решетки НРНТ-алмазов |
| Abstract (in another language): | The effect of vacuum heat treatment in the temperature range of 800–1600 °C on the defect-impurity structure of synthetic diamond single crystals grown by the temperature gradient method (HPHT method) was studied. It was found that at T > 900 °C, active rearrangement of nickel-containing defects responsible for the absorption bands of 658 and 680 nm begins. As a result of annealing of nickel-containing defects, vacancies are generated, which, interact with impurity nitrogen atoms present in HPHT diamonds to form NV-centers. It was shown that vacuum annealing at high temperatures leads to an increase the perfection of the crystal lattice of HPHT diamonds |
| Description: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329573 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 246-251.pdf | 483,03 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.