Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329573Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гусаков, Г. А. | |
| dc.contributor.author | Шаронов, Г. В. | |
| dc.contributor.author | Королик, О. В. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:11Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:11Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 246-251. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329573 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Исследовано влияние термообработки в вакууме в температурном интервале 800 –1600 °C на дефектно-примесную структуру монокристаллов синтетического алмаза, выращенных методом температурного градиента (НРНТ-метод). Установлено, что при Т > 900 °C начинается активная перестройка никельсодержащих дефектов, ответственных за полосы поглощения 658 и 680 нм. В результате отжига никельсодержащих дефектов происходит генерация вакансий, которые, в свою очередь, взаимодействуют с имеющимися в НРНТ-алмазах примесными атомами азота с образованием NV-центров. Показано, что вакуумный отжиг при высоких температурах приводит к повышению степени совершенства кристаллической решетки НРНТ-алмазов | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Модификация синтетических алмазов путем высокотемпературного вакуумного отжига | |
| dc.title.alternative | Modification of synthetic diamonds by high-temperature vacuum annealing / G. A. Gusakov, G. V. Sharonov, O. V. Korolik | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The effect of vacuum heat treatment in the temperature range of 800–1600 °C on the defect-impurity structure of synthetic diamond single crystals grown by the temperature gradient method (HPHT method) was studied. It was found that at T > 900 °C, active rearrangement of nickel-containing defects responsible for the absorption bands of 658 and 680 nm begins. As a result of annealing of nickel-containing defects, vacancies are generated, which, interact with impurity nitrogen atoms present in HPHT diamonds to form NV-centers. It was shown that vacuum annealing at high temperatures leads to an increase the perfection of the crystal lattice of HPHT diamonds | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 246-251.pdf | 483,03 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.