Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329569| Title: | Электрофизические параметры диодов генераторов шума, облученных быстрыми электронами |
| Other Titles: | Electrophysical parameters of diodes of noise generators irradiated with fast electrons / V. V. Buslyuk, S. S. Derechennik, V. B. Odzaev, V. S. Prosolovich, S. B. Lastovski, O. O. Latiy, D. N. Fedosuyk, V. Yu. Yavid, Yu. N. Yankovski |
| Authors: | Буслюк, В. В. Дереченник, С. С. Оджаев, В. Б. Просолович, В. С. Ластовский, С. Б. Латий, О. О. Федосюк, Д. Н. Явид, В. Ю. Янковский, Ю. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 233-237. |
| Abstract: | Исследованы изменения электрофизических параметров кремниевых диодов-генераторов шума ND103L, при облучении быстрыми электронами с энергией 5 МэВ дозами 3×10 13 –1×10 15 cм-2. Установлено, что в процессе облучения диодов генераторов шума происходят коррелированные изменения их основных электрофизических характеристик: обратного тока p–n-перехода, эффективного напряжения шума, спектральной плотности напряжения шума и граничной частоты шумов. Это обусловлено как активацией в процессе облучения исходных (не активированных) центров, на которых сформировались микроплазмы, так и образованием новых очагов формирования микроплазм. При флюенсах более 1×10 14 cм-2 возрастает концентрация радиационных дефектов, что приводит к уменьшению времени жизни неравновесных носителей заряда, увеличению обратного тока диодов, а также уменьшению эффективного напряжения шума и спектральной плотности напряжения шума |
| Abstract (in another language): | Changes in the electrophysical parameters of silicon diodes-noise generators ND103L when irradiated with fast electrons with an energy of 5 MeV in doses of 3×10 13 –1×10 15 cm -2 were studied. It has been established that in the process of irradiating the diodes of noise generators, correlated changes in their main electrophysical characteristics occur: the reverse current of the p–n-junction, the effective noise voltage, the spectral density of the noise voltage and the boundary frequency of noise. This is due to both the activation during irradiation of the original (not activated) centers on which microplasms formed, and the formation of new foci of microplasma formation. At fluences of more than 1×10 14 cm -2, the concentration of radiation defects increases, which leads to a decrease in the lifetime of nonequilibrium charge carriers, an increase in the reverse current of diodes, as well as a decrease in the effective noise voltage and spectral density of the noise voltage |
| Description: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329569 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 233-237.pdf | 356,89 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.