Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329569Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Буслюк, В. В. | |
| dc.contributor.author | Дереченник, С. С. | |
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | |
| dc.contributor.author | Латий, О. О. | |
| dc.contributor.author | Федосюк, Д. Н. | |
| dc.contributor.author | Явид, В. Ю. | |
| dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:11Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:11Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 233-237. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329569 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Исследованы изменения электрофизических параметров кремниевых диодов-генераторов шума ND103L, при облучении быстрыми электронами с энергией 5 МэВ дозами 3×10 13 –1×10 15 cм-2. Установлено, что в процессе облучения диодов генераторов шума происходят коррелированные изменения их основных электрофизических характеристик: обратного тока p–n-перехода, эффективного напряжения шума, спектральной плотности напряжения шума и граничной частоты шумов. Это обусловлено как активацией в процессе облучения исходных (не активированных) центров, на которых сформировались микроплазмы, так и образованием новых очагов формирования микроплазм. При флюенсах более 1×10 14 cм-2 возрастает концентрация радиационных дефектов, что приводит к уменьшению времени жизни неравновесных носителей заряда, увеличению обратного тока диодов, а также уменьшению эффективного напряжения шума и спектральной плотности напряжения шума | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Электрофизические параметры диодов генераторов шума, облученных быстрыми электронами | |
| dc.title.alternative | Electrophysical parameters of diodes of noise generators irradiated with fast electrons / V. V. Buslyuk, S. S. Derechennik, V. B. Odzaev, V. S. Prosolovich, S. B. Lastovski, O. O. Latiy, D. N. Fedosuyk, V. Yu. Yavid, Yu. N. Yankovski | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Changes in the electrophysical parameters of silicon diodes-noise generators ND103L when irradiated with fast electrons with an energy of 5 MeV in doses of 3×10 13 –1×10 15 cm -2 were studied. It has been established that in the process of irradiating the diodes of noise generators, correlated changes in their main electrophysical characteristics occur: the reverse current of the p–n-junction, the effective noise voltage, the spectral density of the noise voltage and the boundary frequency of noise. This is due to both the activation during irradiation of the original (not activated) centers on which microplasms formed, and the formation of new foci of microplasma formation. At fluences of more than 1×10 14 cm -2, the concentration of radiation defects increases, which leads to a decrease in the lifetime of nonequilibrium charge carriers, an increase in the reverse current of diodes, as well as a decrease in the effective noise voltage and spectral density of the noise voltage | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 233-237.pdf | 356,89 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.