Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329566| Заглавие документа: | Модификация структуры анодных алюмооксидных покрытий оснований печатных плат для увеличения пробивных напряжений |
| Другое заглавие: | Modification of the anodic alumina structure for the alumooxide pcb bases to increase breakdown voltage / V. A. Yakovtseva, D. L. Shimanovich |
| Авторы: | Яковцева, В. А. Шиманович, Д. Л. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 220-225. |
| Аннотация: | Для повышения электрической прочности описан метод заполнения пор путем повторного плотного анодирования алюминия через поры оксида. Если после формирования пористого оксида необходимой глубины сменить электролит и подать возрастающее напряжение, то по достижении напряжения формовки плотного оксида и его превышении начинает увеличиваться толщина барьерного слоя в пористом оксиде алюминия, а сама пора заполняется плотным оксидом. Общая толщина полученного таким образом плотного оксида ограничивается лишь напряжением искрения, а его электрическая прочность приближается к этому напряжению. При проведении экспериментов было установлено, что для одного и того же электролита напряжение искрения в 1,5–2 раза больше при заполнении пор, чем при непосредственном формировании плотного оксида. В результате получаем комбинированную морфологию пленки Al2O3 («пористый Al2O3» + «плотный Al2O3»), обладающей увеличенной толщиной барьерного слоя в донной зоне пористого оксида |
| Аннотация (на другом языке): | To increase the dielectric strength, a method of pore filling by the repeated dense aluminum anodization through the oxide pores has been discribed. If we change the electrolyte and apply an increasing voltage after forming the required porous oxide thickness, the barrier layer thickness in the porous oxide starts to increase when the forming voltage of the porous oxide is reached and exceeded, and the pore itself is filled with dense oxide. The total thickness of the dense oxide obtained in this way is limited only by the sparking voltage, and its dielectric strength approaches this voltage. It was found during experiments that for the same electrolyte the sparking voltage is 1.5 - 2 times higher for pore filling than for the direct formation of dense oxide. As a result, we obtain a combined morphology of the Al2O3 film ("porous Al2O3" + "dense Al2O3"), which has an increased thickness of the barrier layer in the bottom area of the porous oxide |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329566 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в рамках задания 4.1.5 «Разработка научных основ и технологий формирования композиционных покрытий электрохимическими методами» Государственной программы научных исследований Беларуси «Материаловедение, новые материалы и технологии», подпрограмма «Многофункциональные и композиционные материалы». |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 220-225.pdf | 426,54 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.