Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329563| Title: | Градиентные электропотенциальные изображения в неразрушающем контроле поверхности полупроводниковых структур |
| Other Titles: | Gradient electropotential images in non-destructive mapping of semiconductor structures’ surface / A. K. Tyavlovsky, A. L. Zharin, K. V. Pantsialeyeu, V. A. Mikitsevich, O. K. Gusev, R. I. Vorobey |
| Authors: | Тявловский, А. К. Жарин, А. Л. Пантелеев, К. В. Микитевич, В. А. Гусев, О. К. Воробей, Р. И. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 205-210. |
| Abstract: | Для повышения быстродействия при картировании дефектов поверхности полупроводниковой пластины методом сканирующего зонда Кельвина предложено использование невибрирующего электрометрического зонда. По результатам полунатурного моделирования показано, что получаемое с помощью такого зонда градиентное электропотенциальное изображение обеспечивает эффективное выявление таких дефектов, как кристаллические дислокации и локальные загрязнения поверхности полупроводниковой пластины. Путем интегрирования измерительного сигнала невибрирующего зонда может быть получена также карта распределения контактной разности потенциалов, аналогичная получаемой традиционным методом вибрирующего зонда Кельвина-Зисмана, что позволяет выявлять также такие дефекты, как неравномерность эквивалентной электрической толщины окисла или неравномерность распределения примеси |
| Abstract (in another language): | To increase the speed of mapping surface defects of semiconductor wafer with a scanning Kelvin probe a non-vibrating electrometric probe technique is proposed. Based on the results of semi-natural modeling, it is shown that the gradient electropotential image obtained using such a probe provides effective detection of defects such as crystalline dislocations and local contamination of the surface of the semiconductor wafer. By integrating the measuring signal of a non-vibrating probe, a map of the distribution of the contact potential difference can also be obtained, similar to that obtained by the traditional Kelvin-Zisman vibrating probe technique, which also makes it possible to detect defects such as unevenness of the equivalent electrical thickness of the oxide or unevenness of impurity distribution |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329563 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 205-210.pdf | 417,62 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.