Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329559| Title: | Поглощение инфракрасного излучения в кремнии с энергетической подзоной, имплантированном селеном с последующей импульсной лазерной обработкой |
| Other Titles: | Sub-band gap infrared absorption in silicon implanted by selenium with subsequent pulse laser treatment / Ting Wang, F. F. Komarov, I. N. Parkhomenko, O. V. Milchanin, Yu. V. Kharlovich |
| Authors: | Ван Тин Комаров, Ф. Ф. Пархоменко, И. Н. Мильчанин, О. В. Харлович, Ю. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 14-19. |
| Abstract: | Кремниевые пластины были имплантированы ионами 80Se+ с энергией 140 кэВ флюенсом 3,1×10 15 см−2 (Se (0,75 %)/Si) и 6,1×10 15 см−2 (Se (1,5 %)/Si), а затем облучены импульсом рубинового лазера с плотностью энергии 2,0 Дж/см2. Состав приповерхностной области слоев, гипердопированных Se, был определен методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Распределение концентрации имплантированного Se по глубине изучено методом обратного резерфордовского рассеяния ионов He+. Результаты сканирующей туннельной спектроскопии свидетельствуют, что импульсный лазерный отжиг приводит к образованию примесной подзоны в запрещенной зоне Si, наличие которой обуславливает появлению широкой полосы поглощения в спектральном диапазоне 1,1–5,0 мкм |
| Abstract (in another language): | Silicon wafers were implanted with 140 keV 80Se+ ions to the fluences of 3.1×10 15 cm−2 (Se (0.75 %)/Si) and 6.1×10 15 cm−2 (Se (1.5 %)/Si) and then irradiated by a ruby laser pulse with an energy density of 2.0 J/cm2. The composition of near-surface layers of silicon, hyperdoped with Se, were examined by the X-Ray photoelectron spectroscopy. Rutherford backscattering of He+ ions was used to measure the depth distributions of Se atoms concentration. The results of scanning tunneling spectroscopy evidenced the formation of a sub-band in the Si anergy band gap that caused a broad band of absorption in the spectral range of 1.1–5.0 μm |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329559 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.