Поглощение инфракрасного излучения в кремнии с энергетической подзоной, имплантированном селеном с последующей импульсной лазерной обработкой

Abstract

Кремниевые пластины были имплантированы ионами 80Se+ с энергией 140 кэВ флюенсом 3,1×10 15 см−2 (Se (0,75 %)/Si) и 6,1×10 15 см−2 (Se (1,5 %)/Si), а затем облучены импульсом рубинового лазера с плотностью энергии 2,0 Дж/см2. Состав приповерхностной области слоев, гипердопированных Se, был определен методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Распределение концентрации имплантированного Se по глубине изучено методом обратного резерфордовского рассеяния ионов He+. Результаты сканирующей туннельной спектроскопии свидетельствуют, что импульсный лазерный отжиг приводит к образованию примесной подзоны в запрещенной зоне Si, наличие которой обуславливает появлению широкой полосы поглощения в спектральном диапазоне 1,1–5,0 мкм