Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329558
Заглавие документа: Фотодетектор на основе тиоиодида висмута
Другое заглавие: Photodetector based on bismuth thioiodide / E. A. Streltsov, A. I. Kulak, A. V. Mazanik, I. A. Svito
Авторы: Стрельцов, Е. А.
Кулак, А. И.
Мазаник, А. В.
Свито, И. А.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2025
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 184-189.
Аннотация: Предложен фотоэлектрохимический детектор на основе тиоиодида висмута BiSI, имеющего ширину запрещенной зоны Eg =1,59 эВ (прямые оптические переходы). Тиоиодид висмута был синтезирован одностадийным методом химического осаждения на подложки, покрытые проводящим слоем FTO. Структура пленок BiSI представляет совокупность случайно ориентированных игольчатых монокристаллов. Зарождение и рост игольчатых монокристаллов BiSI из единственного центра и, соответственно, отсутствие межкристаллитных границ обеспечивает высокую квантовую эффективность фототока – до 52 % на длине волны 400 нм, что соответствует ампер-ваттной чувствительности 0,16 А/Вт. Фотодетекторы обладают высокой удельной обнаружительной способностью – 3,4·10 11 см·Гц 1/2/Вт. В водных электролитах, содержащих S2– и I – анионы, фотодетекторы характеризуются высокой временной стабильностью фототока и циклируемостью (тысячи циклов) при воздействии видимым светом
Аннотация (на другом языке): We suggest a photoelectrochemical detector based on semiconductor bismuth thioiodide BiSI with the band gap energy Eg = 1.59 eV (direct optical transitions). The bismuth thioiodide was synthesized by the one-stage chemical bath deposition method on a conductive FTO glass. The structure of BiSI film represents randomly oriented needle-like single crystals. The nucleation and growth of needle-like BiSI single crystals from a single center and the absence of inter-crystallite boundaries provides a high external quantum efficiency of photocurrent up to 52 % at 400 nm, which corresponds to ampere-watt responsivity of 0.16 A/W. BiSI photodetector possesses a high specific detectivity of 3.4·10 11 cm·Hz 1/2/W. In aqueous electrolyte containing both S2– and I – anions, the photodetector is characterized by a high temporal stability of photocurrent and cyclability (thousands of cycles) under visible light illumination
Доп. сведения: Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329558
ISBN: 978-985-881-739-8
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
184-189.pdf432,87 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.