Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329558Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Стрельцов, Е. А. | |
| dc.contributor.author | Кулак, А. И. | |
| dc.contributor.author | Мазаник, А. В. | |
| dc.contributor.author | Свито, И. А. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:08Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:08Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 184-189. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329558 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Предложен фотоэлектрохимический детектор на основе тиоиодида висмута BiSI, имеющего ширину запрещенной зоны Eg =1,59 эВ (прямые оптические переходы). Тиоиодид висмута был синтезирован одностадийным методом химического осаждения на подложки, покрытые проводящим слоем FTO. Структура пленок BiSI представляет совокупность случайно ориентированных игольчатых монокристаллов. Зарождение и рост игольчатых монокристаллов BiSI из единственного центра и, соответственно, отсутствие межкристаллитных границ обеспечивает высокую квантовую эффективность фототока – до 52 % на длине волны 400 нм, что соответствует ампер-ваттной чувствительности 0,16 А/Вт. Фотодетекторы обладают высокой удельной обнаружительной способностью – 3,4·10 11 см·Гц 1/2/Вт. В водных электролитах, содержащих S2– и I – анионы, фотодетекторы характеризуются высокой временной стабильностью фототока и циклируемостью (тысячи циклов) при воздействии видимым светом | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Фотодетектор на основе тиоиодида висмута | |
| dc.title.alternative | Photodetector based on bismuth thioiodide / E. A. Streltsov, A. I. Kulak, A. V. Mazanik, I. A. Svito | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | We suggest a photoelectrochemical detector based on semiconductor bismuth thioiodide BiSI with the band gap energy Eg = 1.59 eV (direct optical transitions). The bismuth thioiodide was synthesized by the one-stage chemical bath deposition method on a conductive FTO glass. The structure of BiSI film represents randomly oriented needle-like single crystals. The nucleation and growth of needle-like BiSI single crystals from a single center and the absence of inter-crystallite boundaries provides a high external quantum efficiency of photocurrent up to 52 % at 400 nm, which corresponds to ampere-watt responsivity of 0.16 A/W. BiSI photodetector possesses a high specific detectivity of 3.4·10 11 cm·Hz 1/2/W. In aqueous electrolyte containing both S2– and I – anions, the photodetector is characterized by a high temporal stability of photocurrent and cyclability (thousands of cycles) under visible light illumination | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 184-189.pdf | 432,87 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.