Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329555
Title: Фоточувствительные структуры на основе электроосажденных пленок Cu2O
Other Titles: Photosensitive structures based on electrodeposited Cu2O films / I. A. Svito, A. V. Mazanik, S. V. Zlotski, E. A. Streltsov, A. I. Kulak
Authors: Свито, И. А.
Мазаник, А. В.
Злоцкий, С. В.
Стрельцов, Е. А.
Кулак, А. И.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2025
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 168-173.
Abstract: Пленки Cu2O были сформированы на подложках FTO посредством электрохимического осаждения из водных растворов, после чего с помощью нанесения серебряного контакта формировались трехслойные твердотельные структуры FTO/Cu2O/Ag. Добавление нитрата европия в электролит осаждения приводит к увеличению фоточувствительности структур FTO/Cu2O/Ag в несколько раз как в режиме фотодиода (без внешнего напряжения), так и в режиме фоторезистора (с приложенным внешним напряжением). Эффект повышения фоточувствительности объясняется подавлением безызлучательной рекомбинации в пленках, осажденных из раствора с добавлением европия
Abstract (in another language): Cu2O films were prepared by the electrochemical deposition on FTO glasses, and the solid-state FTO/Cu2O/Ag structures were prepared by formation of silver contact on the surface of Cu2O film. Addition of europium nitrate to the electrodeposition solution results in a few time increase of the responsivity of the FTO/Cu2O/Ag structures both in the photodiode (without application of an external bias voltage) and photoresistor (with an external bias voltage) operation modes. The observed effect of photosensitivity enhancement is explained by suppression of charge carriers’ recombination in the films prepared with addition of europium
Description: Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329555
ISBN: 978-985-881-739-8
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:2024. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
168-173.pdf444,79 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.