Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329555
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorСвито, И. А.
dc.contributor.authorМазаник, А. В.
dc.contributor.authorЗлоцкий, С. В.
dc.contributor.authorСтрельцов, Е. А.
dc.contributor.authorКулак, А. И.
dc.date.accessioned2025-05-22T14:49:07Z-
dc.date.available2025-05-22T14:49:07Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 168-173.
dc.identifier.isbn978-985-881-739-8
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/329555-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractПленки Cu2O были сформированы на подложках FTO посредством электрохимического осаждения из водных растворов, после чего с помощью нанесения серебряного контакта формировались трехслойные твердотельные структуры FTO/Cu2O/Ag. Добавление нитрата европия в электролит осаждения приводит к увеличению фоточувствительности структур FTO/Cu2O/Ag в несколько раз как в режиме фотодиода (без внешнего напряжения), так и в режиме фоторезистора (с приложенным внешним напряжением). Эффект повышения фоточувствительности объясняется подавлением безызлучательной рекомбинации в пленках, осажденных из раствора с добавлением европия
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleФоточувствительные структуры на основе электроосажденных пленок Cu2O
dc.title.alternativePhotosensitive structures based on electrodeposited Cu2O films / I. A. Svito, A. V. Mazanik, S. V. Zlotski, E. A. Streltsov, A. I. Kulak
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeCu2O films were prepared by the electrochemical deposition on FTO glasses, and the solid-state FTO/Cu2O/Ag structures were prepared by formation of silver contact on the surface of Cu2O film. Addition of europium nitrate to the electrodeposition solution results in a few time increase of the responsivity of the FTO/Cu2O/Ag structures both in the photodiode (without application of an external bias voltage) and photoresistor (with an external bias voltage) operation modes. The observed effect of photosensitivity enhancement is explained by suppression of charge carriers’ recombination in the films prepared with addition of europium
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
168-173.pdf444,79 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.