Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329554| Заглавие документа: | Структурные особенности тонкопленочных неорганических фоторезистов на основе смешанных оксидов молибдена-ванадия, полученных поликонденсацией оксокислот |
| Другое заглавие: | Structurul features of thin-film photoresists based on mixed molybdenum-vanadium oxides derived via polycondensation of oxoacids / T. V. Sviridova, A. S. Logvinovich, V. B. Odzaev, D. V. Sviridov |
| Авторы: | Свиридова, Т. В. Логвинович, А. С. Оджаев, В. Б. Свиридов, Д. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 164-168. |
| Аннотация: | Показано, что пленки V2О5:MoО3, полученные из водных растворов олигомеризованной молибден-ванадиевой оксокислоты (средний размер олигомерных оксочастиц 37 нм) имеют упорядоченное слоистое строение. Сшивание отдельных структурных элементов пленки под действием актиничного (УФ) облучения обеспечивает формирование компактного смешанного оксида молибдена-ванадия, равномерно травящегося в кислых водных растворах и теряющего растворимость при высоких экспозициях. Это, в свою очередь, открывает возможность получения топологических изображений со сложным рельефом |
| Аннотация (на другом языке): | It has been shown that V2О5:MoО3 films derived from oligomeric molybdenum-vanadium oxoacid (the mean size of oxo-particles was estimated to be 37 nm) possess lamellar structure. The binding of structural elements of the film under actinic (UV) illumination ensures formation of compact hydrated molybdenum-vanadium mixed oxide demonstrating uniform etching in the acidic aqueous solutions loosing the solubility under high exposures. This, in its turn, opens the possibility of generation of topological patterns with complicated relief |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329554 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 164-168.pdf | 376,82 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.