Кинетика формирования и структура пористого кремния на сильнолегированном кремнии электронного типа проводимости

Лопато, У. П.; Гревцов, Н. Л.; Бондаренко, В. П.; Лапутько, Д. Д.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329541

Title:	Кинетика формирования и структура пористого кремния на сильнолегированном кремнии электронного типа проводимости
Other Titles:	Kinetics of formation and structure of porous silicon on heavy doped silicon of electronic conductivity type / U. P. Lopato, N. L. Grevtsov, V. P. Bondarenko, D. D. Laputko
Authors:	Лопато, У. П. Гревцов, Н. Л. Бондаренко, В. П. Лапутько, Д. Д.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2025
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 107-111.
Abstract:	Слои пористого кремния изготовлены на сильнолегированных кремниевых пластинах электронного типа проводимости методом электрохимического анодирования в водно-спиртовом растворе фтористоводородной кислоты при различных плотностях тока. Изучено влияние режимов анодирования на толщину, скорость роста и пористость пористого кремния. Структура пористого кремния изучена методом сканирующей электронной микроскопии. Установлено, что на поверхности пористого слоя имеются поры темного и серого цветов, отличающиеся размерами и плотностью расположения. Определено влияние плотности тока на диаметр, плотность пор, расстояние между порами и толщину элементов кремниевого скелета на поверхности и во внутренних областях пористого кремния. Полученные результаты представляют интерес для формирования композитных материалов на основе пористого кремния
Abstract (in another language):	Porous silicon layers were fabricated on heavily doped electron-type silicon wafers by electrochemical anodization in an aqueous-alcoholic solution of hydrofluoric acid at different current densities. The influence of anodization modes on the thickness, growth rate, and porosity of porous silicon was established. The structure of porous silicon was studied by scanning electron microscopy. It was found that the surface of porous silicon contains pores of dark and gray colors, differing in size and density of arrangement. The influence of current density on the diameters, pore density, distances between pores and thickness of silicon skeleton elements on the surface and in the internal regions of porous silicon was determined. The obtained results are of interest for the formation of composite materials based on porous silicon
Description:	Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/329541
ISBN:	978-985-881-739-8
Sponsorship:	Исследования выполнены за счет грантов Министерства образования Республики Беларусь, выделенному за счет средств республиканского бюджета (договор № 24-3165М и № 24-3163М).
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2024. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
107-111.pdf		572,84 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar