Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329541| Заглавие документа: | Кинетика формирования и структура пористого кремния на сильнолегированном кремнии электронного типа проводимости |
| Другое заглавие: | Kinetics of formation and structure of porous silicon on heavy doped silicon of electronic conductivity type / U. P. Lopato, N. L. Grevtsov, V. P. Bondarenko, D. D. Laputko |
| Авторы: | Лопато, У. П. Гревцов, Н. Л. Бондаренко, В. П. Лапутько, Д. Д. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 107-111. |
| Аннотация: | Слои пористого кремния изготовлены на сильнолегированных кремниевых пластинах электронного типа проводимости методом электрохимического анодирования в водно-спиртовом растворе фтористоводородной кислоты при различных плотностях тока. Изучено влияние режимов анодирования на толщину, скорость роста и пористость пористого кремния. Структура пористого кремния изучена методом сканирующей электронной микроскопии. Установлено, что на поверхности пористого слоя имеются поры темного и серого цветов, отличающиеся размерами и плотностью расположения. Определено влияние плотности тока на диаметр, плотность пор, расстояние между порами и толщину элементов кремниевого скелета на поверхности и во внутренних областях пористого кремния. Полученные результаты представляют интерес для формирования композитных материалов на основе пористого кремния |
| Аннотация (на другом языке): | Porous silicon layers were fabricated on heavily doped electron-type silicon wafers by electrochemical anodization in an aqueous-alcoholic solution of hydrofluoric acid at different current densities. The influence of anodization modes on the thickness, growth rate, and porosity of porous silicon was established. The structure of porous silicon was studied by scanning electron microscopy. It was found that the surface of porous silicon contains pores of dark and gray colors, differing in size and density of arrangement. The influence of current density on the diameters, pore density, distances between pores and thickness of silicon skeleton elements on the surface and in the internal regions of porous silicon was determined. The obtained results are of interest for the formation of composite materials based on porous silicon |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329541 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Финансовая поддержка: | Исследования выполнены за счет грантов Министерства образования Республики Беларусь, выделенному за счет средств республиканского бюджета (договор № 24-3165М и № 24-3163М). |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 107-111.pdf | 572,84 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.