Расчёт конструктивно-технологических параметров высоковольтного n–p–n-транзистора с помощью моделирования

Abstract

При разработке и освоении новых изделий электронной техники часто бывает необходимо провести моделирование разрабатываемых изделий с целью предварительной оценки их конструктивно-технологических и электрофизических характеристик и параметров ещё до этапа изготовления их экспериментальных образцов. В связи с чем, важность и необходимость этапа моделирования полупроводниковых структур на сегодняшний день значительно возросли. В данной работе представлены результаты технологического моделирования высоковольтного n-p-n–транзистора средней мощности с пробивным напряжением коллектор-эмиттер более 80 В и максимальной рассеиваемой мощностью до 0,63 Вт, изготавливаемого по разработанному технологическому маршруту. В результате проектирования была получена структура прибора и определены такие его параметры, как глубины залегания p-n–переходов Xj, Значения поверхностных сопротивлений областей p- и n-типов R S, толщины защитных окислов d с достаточно приемлемой погрешностью 3,81–23,10 %