Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329538| Title: | Оптимизация геометрических параметров кремниевого электрооптического фазовращателя на эффекте обеднения свободных носителей |
| Other Titles: | Geometrical parameters optimization of silicon electro-optical phase shifters based on free ‒ carrier ‒ depletion / Е. А. Lavrukhina, A. I. Bobrov, А. V. Nezhdanov, K. V. Sidorenko, D. V. Khomitsky |
| Authors: | Лаврухина, Е. А. Бобров, А. И. Нежданов, А. В. Сидоренко, К. В. Хомицкий, Д. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 90-95. |
| Abstract: | В работе проведена оптимизация геометрических размеров электрооптического высокоскоростного фазовращателя для достижения наилучшей эффективности модуляции сигнала. Исследуемая структура представляет собой высоколегированный кремниевый волновод, работающий на механизме обеднения носителей заряда и интегрированный в планарный интерферометр Маха-Цендера. Управление фазовым сдвигом происходит за счёт изменения концентрации носителей заряда при подаче обратного напряжения смещения и последующего изменения показателя преломления материала волновода. Численно были найдены зависимости оптических потерь и изменение реальной части показателя преломления для нескольких оптических мод от ширины кремниевого волновода и приложенного напряжения. В результате π-фазовый сдвиг при напряжении 4 В удалось получить для фазовращателя с длиной 4,5 мм |
| Abstract (in another language): | Geometrical parameters of high-speed phase shifters are optimized in this paper to improve their efficiency. The studied structure is a silicon waveguide with wide highly doped ribs, operating on the charge carrier depletion mechanism and integrated into a planar Mach-Zehnder interferometer. The phase shift is controlled by changing the charge carrier concentration when applying a reverse bias voltage, which lead to changing of the waveguide refractive index. The paper presents numerical results of optical loss, the real part of the change in the refractive index for several optical modes depending on the width of the silicon waveguide and the applied voltage. As a result, for a phase shifter with a 4.5 mm length and 4 V, it was possible to obtain a π-phase shift |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329538 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Sponsorship: | Исследование выполнено в рамках научной программы Национального центра физики и математики, направление № 1 «Национальный центр исследования архитектур суперкомпьютеров. Этап 2023–2025». |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.