Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329538| Заглавие документа: | Оптимизация геометрических параметров кремниевого электрооптического фазовращателя на эффекте обеднения свободных носителей |
| Другое заглавие: | Geometrical parameters optimization of silicon electro-optical phase shifters based on free ‒ carrier ‒ depletion / Е. А. Lavrukhina, A. I. Bobrov, А. V. Nezhdanov, K. V. Sidorenko, D. V. Khomitsky |
| Авторы: | Лаврухина, Е. А. Бобров, А. И. Нежданов, А. В. Сидоренко, К. В. Хомицкий, Д. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 90-95. |
| Аннотация: | В работе проведена оптимизация геометрических размеров электрооптического высокоскоростного фазовращателя для достижения наилучшей эффективности модуляции сигнала. Исследуемая структура представляет собой высоколегированный кремниевый волновод, работающий на механизме обеднения носителей заряда и интегрированный в планарный интерферометр Маха-Цендера. Управление фазовым сдвигом происходит за счёт изменения концентрации носителей заряда при подаче обратного напряжения смещения и последующего изменения показателя преломления материала волновода. Численно были найдены зависимости оптических потерь и изменение реальной части показателя преломления для нескольких оптических мод от ширины кремниевого волновода и приложенного напряжения. В результате π-фазовый сдвиг при напряжении 4 В удалось получить для фазовращателя с длиной 4,5 мм |
| Аннотация (на другом языке): | Geometrical parameters of high-speed phase shifters are optimized in this paper to improve their efficiency. The studied structure is a silicon waveguide with wide highly doped ribs, operating on the charge carrier depletion mechanism and integrated into a planar Mach-Zehnder interferometer. The phase shift is controlled by changing the charge carrier concentration when applying a reverse bias voltage, which lead to changing of the waveguide refractive index. The paper presents numerical results of optical loss, the real part of the change in the refractive index for several optical modes depending on the width of the silicon waveguide and the applied voltage. As a result, for a phase shifter with a 4.5 mm length and 4 V, it was possible to obtain a π-phase shift |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329538 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Финансовая поддержка: | Исследование выполнено в рамках научной программы Национального центра физики и математики, направление № 1 «Национальный центр исследования архитектур суперкомпьютеров. Этап 2023–2025». |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.