Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329533| Заглавие документа: | Фотолюминесценция солнечных элементов со структурой ZnO:Al/ZnO-i/CdS/Cu2ZnSnSe4/Mo/стекло |
| Другое заглавие: | Photoluminescence of solar cells with the structure ZnO:Al/ZnO-i/CdS/Cu2ZnSnSe4/Mo/glass / V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, O. M. Borodavchenko, K. V. Usenko, I. A. Mogilnikov, M. A. Sulimov, M. V. Yakushev, I. Forbes |
| Авторы: | Живулько, В. Д. Мудрый, А. В. Бородавченко, О. М. Усенко, К. В. Могильников, И. А. Сулимов, М. А. Якушев, М. В. Форбс, И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 70-74. |
| Аннотация: | Исследована фотолюминесценция тонких пленок соединения Cu2ZnSnSe4 со структурой кестерита в солнечных элементах, созданных на их основе. По данным рентгеновской дифракции определены параметры элементарной ячейки соединения Cu2ZnSnSe4 составившие: а = 5,692 Å и с = 11,33 Å. При температуре 4,2 K установлена ширина запрещенной зоны тонких пленок Cu2ZnSnSe4, составившая Eg = 1,048 эВ и определены механизмы излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда. Обсуждается возможная природа дефектов структуры, обуславливающих примесную фотолюминесценцию в спектральной области ˂ 1 эВ |
| Аннотация (на другом языке): | Photoluminescence of thin films of the Cu2ZnSnSe4 compound with a kesterite structure in solar cells created on their basis was studied. According to X-ray diffraction data, the unit cell parameters of the Cu2ZnSnSe 4 compound were determined to be a = 5.692 Å and c = 11.33 Å. At temperature 4.2 K, the band gap of thin Cu2ZnSnSe4 films was established to be Eg = 1.048 eV and the mechanisms of radiative recombination of nonequilibrium charge carriers were determined. The possible nature of structural defects that cause impurity photoluminescence in the spectral region ˂ 1.0 eV is discussed |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329533 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в рамках проекта БРФФИ Ф24–010. |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.