Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2024. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329533
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЖивулько, В. Д.
dc.contributor.authorМудрый, А. В.
dc.contributor.authorБородавченко, О. М.
dc.contributor.authorУсенко, К. В.
dc.contributor.authorМогильников, И. А.
dc.contributor.authorСулимов, М. А.
dc.contributor.authorЯкушев, М. В.
dc.contributor.authorФорбс, И.
dc.date.accessioned2025-05-22T14:49:03Z-
dc.date.available2025-05-22T14:49:03Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 70-74.
dc.identifier.isbn978-985-881-739-8
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/329533-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractИсследована фотолюминесценция тонких пленок соединения Cu2ZnSnSe4 со структурой кестерита в солнечных элементах, созданных на их основе. По данным рентгеновской дифракции определены параметры элементарной ячейки соединения Cu2ZnSnSe4 составившие: а = 5,692 Å и с = 11,33 Å. При температуре 4,2 K установлена ширина запрещенной зоны тонких пленок Cu2ZnSnSe4, составившая Eg = 1,048 эВ и определены механизмы излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда. Обсуждается возможная природа дефектов структуры, обуславливающих примесную фотолюминесценцию в спектральной области ˂ 1 эВ
dc.description.sponsorshipРабота выполнена в рамках проекта БРФФИ Ф24–010.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleФотолюминесценция солнечных элементов со структурой ZnO:Al/ZnO-i/CdS/Cu2ZnSnSe4/Mo/стекло
dc.title.alternativePhotoluminescence of solar cells with the structure ZnO:Al/ZnO-i/CdS/Cu2ZnSnSe4/Mo/glass / V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, O. M. Borodavchenko, K. V. Usenko, I. A. Mogilnikov, M. A. Sulimov, M. V. Yakushev, I. Forbes
dc.typeconference paper
dc.description.alternativePhotoluminescence of thin films of the Cu2ZnSnSe4 compound with a kesterite structure in solar cells created on their basis was studied. According to X-ray diffraction data, the unit cell parameters of the Cu2ZnSnSe 4 compound were determined to be a = 5.692 Å and c = 11.33 Å. At temperature 4.2 K, the band gap of thin Cu2ZnSnSe4 films was established to be Eg = 1.048 eV and the mechanisms of radiative recombination of nonequilibrium charge carriers were determined. The possible nature of structural defects that cause impurity photoluminescence in the spectral region ˂ 1.0 eV is discussed
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
70-74.pdf403,87 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.