Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329531| Title: | Термоэлектрические свойства содержащих кобальт тонких пленок кремний-германия |
| Other Titles: | Termoelectric properties of cobalt containing silicon germanium thin films / N. L. Grevtsov, E. B. Chubenko, V. P. Bondarenko, I. M. Gavrilin, A. A. Dronov, S. A. Gavrilov, D. L. Goroshko, O. A. Goroshko, G. S. Rymski, K. I. Yanushkevich |
| Authors: | Гревцов, Н. Л. Чубенко, Е. Б. Бондаренко, В. П. Гаврилин, И. М. Дронов, А. А. Гаврилов, С. А. Горошко, Д. Л. Горошко, О. А. Римский, Г. С. Янушкевич, К. И. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 61-66. |
| Abstract: | Получены термоэлектрические тонкие пленки на основе сплава кремний-германий путем электрохимического осаждения кобальта и германия в мезопористый кремний с последующим быстрым термическим отжигом. Полученные пленки исследованы методами сканирующей электронной микроскопии, энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии и рентгеновской дифрактометрии. Показано, что введение в состав пленок кремний-германия кобальта приводит к повышению коэффициента Зеебека, достигающему –450 мкВ/К при 450 К, и фактора мощности, составляющему 1600–1700 мкВт/(м·К2) при 300 К, что обусловлено образованием кристаллической фазы дисилицида кобальта, влияющей на транспорт носителей заряда в полученных пленках |
| Abstract (in another language): | Thermoelectric thin films based on silicon-germanium alloy were obtained by electrochemical deposition of cobalt and germanium into porous silicon with subsequent rapid thermal processing. The films were studied by scanning electron microscopy, energy-dispersive X-ray spectroscopy and X-ray diffractometry. It was shown that the introduction of cobalt into the silicon-germanium films leads to an increase in the Seebeck coefficient up to –450 μV/K at 450 K and a power factor to 1600–1700 μW/(m·K2) at 300 K, due to the formation of a crystalline phase of cobalt disilicide, which affects the transport of charge carriers in the obtained films |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329531 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Sponsorship: | Данное исследование было выполнено при поддержке гранта РНФ (№ 20-19-00720, https://rscf.ru/project/20-19-00720/). |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.