Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329531Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гревцов, Н. Л. | |
| dc.contributor.author | Чубенко, Е. Б. | |
| dc.contributor.author | Бондаренко, В. П. | |
| dc.contributor.author | Гаврилин, И. М. | |
| dc.contributor.author | Дронов, А. А. | |
| dc.contributor.author | Гаврилов, С. А. | |
| dc.contributor.author | Горошко, Д. Л. | |
| dc.contributor.author | Горошко, О. А. | |
| dc.contributor.author | Римский, Г. С. | |
| dc.contributor.author | Янушкевич, К. И. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:49:03Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:49:03Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 61-66. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329531 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Получены термоэлектрические тонкие пленки на основе сплава кремний-германий путем электрохимического осаждения кобальта и германия в мезопористый кремний с последующим быстрым термическим отжигом. Полученные пленки исследованы методами сканирующей электронной микроскопии, энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии и рентгеновской дифрактометрии. Показано, что введение в состав пленок кремний-германия кобальта приводит к повышению коэффициента Зеебека, достигающему –450 мкВ/К при 450 К, и фактора мощности, составляющему 1600–1700 мкВт/(м·К2) при 300 К, что обусловлено образованием кристаллической фазы дисилицида кобальта, влияющей на транспорт носителей заряда в полученных пленках | |
| dc.description.sponsorship | Данное исследование было выполнено при поддержке гранта РНФ (№ 20-19-00720, https://rscf.ru/project/20-19-00720/). | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Термоэлектрические свойства содержащих кобальт тонких пленок кремний-германия | |
| dc.title.alternative | Termoelectric properties of cobalt containing silicon germanium thin films / N. L. Grevtsov, E. B. Chubenko, V. P. Bondarenko, I. M. Gavrilin, A. A. Dronov, S. A. Gavrilov, D. L. Goroshko, O. A. Goroshko, G. S. Rymski, K. I. Yanushkevich | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Thermoelectric thin films based on silicon-germanium alloy were obtained by electrochemical deposition of cobalt and germanium into porous silicon with subsequent rapid thermal processing. The films were studied by scanning electron microscopy, energy-dispersive X-ray spectroscopy and X-ray diffractometry. It was shown that the introduction of cobalt into the silicon-germanium films leads to an increase in the Seebeck coefficient up to –450 μV/K at 450 K and a power factor to 1600–1700 μW/(m·K2) at 300 K, due to the formation of a crystalline phase of cobalt disilicide, which affects the transport of charge carriers in the obtained films | |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.