Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329519| Title: | Разработка фоторезистивного материала для технологии формирования СВЧ копланарных линий |
| Other Titles: | Development of photoresistive material for the formation technology of uhf coplanar lines / E. I. Yurtova, A. I. Bobrov, D. E. Nikolichev |
| Authors: | Юртова, Е. И. Бобров, А. И. Николичев, Д. Е. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 593-596. |
| Abstract: | Исследован фотолитографический процесс формирования топологических элементов совместно с плазмохимическим травлением в рамках разработки УФ-отверждаемого материала, способного формировать копланарные линии строгой геометрии по thin film imaging (TFI) -технологии. Поиск материалов проводился на основе стандартных решений создания объектов микромасштаба. Негативные фоторезисты L-1 и ФН-16У обладают большей устойчивостью к воздействию плазмохимического травления в то время, как позитивный ФП-2550 показывает плохую воспроизводимость. Фоторезист SU-8 зарубежного производства выступал в качестве реперного материала при отработке методики формирования фоторезистивной маски для создания копланарных линий |
| Abstract (in another language): | Photolithographic process of formation of topological elements in combination with inductively coupled plasma etching was studied within the framework of development of UV-solidifying material capable of forming coplanar lines of strict geometry by thin film imaging technology. The material search was based on standard decision for microscale object formation. Negative photoresists L-1 and FN-16U are more resistant to plasma chemical etching, but positive FP-2550 shows poor reproducibility. The foreign-made photoresist SU-8 served as a reference material for developing the technique of coplanar line formation |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329519 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Sponsorship: | Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, проект № FSWR-2022-0007. |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 593-596.pdf | 459,09 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.