Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329519Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Юртова, Е. И. | |
| dc.contributor.author | Бобров, А. И. | |
| dc.contributor.author | Николичев, Д. Е. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:48:59Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:48:59Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 593-596. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329519 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Исследован фотолитографический процесс формирования топологических элементов совместно с плазмохимическим травлением в рамках разработки УФ-отверждаемого материала, способного формировать копланарные линии строгой геометрии по thin film imaging (TFI) -технологии. Поиск материалов проводился на основе стандартных решений создания объектов микромасштаба. Негативные фоторезисты L-1 и ФН-16У обладают большей устойчивостью к воздействию плазмохимического травления в то время, как позитивный ФП-2550 показывает плохую воспроизводимость. Фоторезист SU-8 зарубежного производства выступал в качестве реперного материала при отработке методики формирования фоторезистивной маски для создания копланарных линий | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, проект № FSWR-2022-0007. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Разработка фоторезистивного материала для технологии формирования СВЧ копланарных линий | |
| dc.title.alternative | Development of photoresistive material for the formation technology of uhf coplanar lines / E. I. Yurtova, A. I. Bobrov, D. E. Nikolichev | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Photolithographic process of formation of topological elements in combination with inductively coupled plasma etching was studied within the framework of development of UV-solidifying material capable of forming coplanar lines of strict geometry by thin film imaging technology. The material search was based on standard decision for microscale object formation. Negative photoresists L-1 and FN-16U are more resistant to plasma chemical etching, but positive FP-2550 shows poor reproducibility. The foreign-made photoresist SU-8 served as a reference material for developing the technique of coplanar line formation | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 593-596.pdf | 459,09 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.